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TOC-UV利用分子結合破壞力大的185nm的UV來分解處理水中的TOC成分。生成反應性較大的Hydroxyl radical，切斷TOC成分的結合環，分解成H20和C02。生成的CO2可以被后端的AP(Anion polisher)去除，這里使用的離子交換樹脂應選擇TOC eakage非常低的(TOC<lppb)。TOC-UV產生的Hydroxyl radical跟H20起反應，產生約30ppb以下的雙氧水(過氧化氫 H202)。生成的雙氧水會劣化后端的AP，成為性能下降的原因。在工程上發生問題，并作為產生晶片缺陷的原因。應予以解決。除雙氧水樹脂TRILITE UPH01 可以去TOC UV處理生成的雙氧水(H202)及陰離子延長Polishing System的穩定性和壽命。TRILITE UPHO1 為三星電子等現場超純設備供貨，證明了其性能。